電子封裝，從20世紀(jì)50年代的通孔技術(shù)（THT）、80 年代的表面貼裝技術(shù)（SMT）、90 年代的球柵陣列（BGA）和 21世紀(jì)初的芯片級(jí)封裝（CSP）迅速發(fā)展起來(lái)。因?yàn)榈寡b芯片提供更高的輸入/輸出（I/O）密度、更短的互連、更好的散熱、小尺寸和低輪廓，使得芯片的有源面朝下，并通過(guò)焊點(diǎn)直接與基板互連的倒裝芯片技術(shù)，已經(jīng)成為 CSP 最具吸引力的一種封裝方法。盡管倒裝芯片封裝比傳統(tǒng)的引線鍵合有許多優(yōu)點(diǎn)，但仍存在諸如散熱難的問題和挑戰(zhàn)。
由于 IC 芯片（硅CTE，約 2.5 ppm/K）和基板（FR-4 CTE，18~24 ppm/K）之間的熱膨脹系數(shù)（CTE）不匹配，會(huì)對(duì)焊點(diǎn)（CTE 22~26 ppm/K）施加大的熱機(jī)械應(yīng)力，導(dǎo)致熱循環(huán)過(guò)程中失效。
1987年，日立公司展示了一種新方法，通過(guò)在芯片與基底之間填充具有良好附著力的可固化樹脂，有效地重新分配了熱應(yīng)力。1996 年，WONG 等首先提出了無(wú)流動(dòng)填充技術(shù)，大大提高了底部填充工藝的生產(chǎn)效率。
在隨后的幾年里，模壓填充、晶圓級(jí)填充和其他底部填充工藝也被開發(fā)出來(lái)，以滿足倒裝芯片封裝日益增長(zhǎng)的功能要求。試驗(yàn)證明，底部填充膠可以降低關(guān)鍵焊點(diǎn) 10%~25% 的應(yīng)力緩沖能力，極大地提高了器件的可靠性。此外，底部填充膠可以保護(hù)芯片和焊點(diǎn)免受氧氣和水分的腐蝕，以及機(jī)械應(yīng)變，如沖擊、跌落和振動(dòng)，進(jìn)一步提高電子元器件的可靠性。
根據(jù)倒裝封裝填充工藝，目前的填充工藝主要分為毛細(xì)管底部填充、無(wú)流動(dòng)底部填充和模壓底部填充工藝。由于毛細(xì)管底部填充工藝簡(jiǎn)單、形成不完全填充和空隙缺陷的概率較低，兼容性更好，在實(shí)際應(yīng)用中得到廣泛應(yīng)用，并覆蓋了超過(guò) 60%的底部填充市場(chǎng)。